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Ja, das sollte wohl funktionieren, solange Du im linearen Bereich bleibst.
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Das Problem ist prinzipieller Natur. Im Übergangsbereich sind diese Reaktanzschaltungen keineswegs an einen Drehko erinnernd sondern eher an eine feste Kapazität in Reihe mit einem Stellwiderstand.
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Ich denke dass eine drain-gate-Kapazität über eine Steuerung der Vorwärtssteilheit mehr oder weniger "verstärkt" werden kann = "drehko"
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Das wär zumindest traumhaft. Vielleicht stell ich mich auch nur dumm an.
Ich bleib am Ball. Danke für die Motivation.
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Ich gebe mal ein paar Erläuterung zum Verständdis der Miller-Kapazität-
Der Millerkondensator befindet sich also zwischen gate und drain, resp zwischen Basis und Kollektor eines Transistors.
Dieser macht bekanntlich eine invertierende Spannungsverstärkung.Genauso funktionioniert ein invertierender OPV mit Gegenkopplungs-Kondensator.
Um in diesem Bilde zu bleiben:
Angenommen unser OPV hat -1000-fache Verstärkung, alos +1mV Eingangsspannung bewirkt -1V Ausgangsspannung.
Wandert man nun durch das E-Feld des KOndensators ab inv-Etingang in Richtung Ausgang, kommt nacht 1/1000 der Wegstrecke der Punkt, wo das Potental von +1mV auf 0 gefallen ist. An diese Stelle setzt du eine "zwischenplatte". Das ändert nichts an der Arbeitsweise, aber es zeigt, wie man den Gegenkopplungskondensator durch zwei in Reihe geschaltete Kondensatorneen ersetzt, deren Verbindung ein virtzueller Massepunkt ist.
Und damit kommen wir zu der Kernaussage des Ganzen:
Der invertierende Eingang sieht eine Kapazität nach Masse, die 1000-so groß ist wie die Gegenkopplungskapazität.
Dagegen ist der Ausgang lediglich mit der einfachen Gegenkopplungskapazität belastet.
Dieses Beispiel verdeutlicht auch die Grenzuen dieses Verfahrens: Wenn ich die Kapaztiät tatsächlich 1000-fach verstärke kann ich an dieslbe nur wenige mV Wechselspannung legen, ohne zu übersteuern.
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Die Millerkapazität ist wie ein Kondensator zwischen Drain und Gate - korrekt. Aber ich kann diesen Kondensator vollständig aufladen oder entladen, um viele zig Volt. Das tun wir tagtäglich in unseren D-Amps.
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Darum geht es doch garnicht, das Großsignalverhalten in geschalteten MOSFETs beschreibt man quantitiativ besser mit Ladungen und nicht mit Kapazitäten. Hier geht es um Kleinsignalverhalten.. Vielleicht doch mal etwas sorgfältiger lesen
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ich versuch es noch mal in Kuruzform, für die FET-Tetrode:
Wenn zwischen drain und gate eine Millerkapacität X geschaltet ist,
mißt Du von drain nach GND annähernd die Kapazität X,
von gate nach GND aber die verst5rkte Kapzität G*x,
wobei G die aktuelle Spannungsverstärkung ist.
Linear funktionieren wird diese Kapazität solange am drain
keine Verzerrungen entstehen, woraus sich ein um die Verstärkung
geteilter gate-Aussteuerbereich ergibt.
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Das Problem liegt darin, dass Du offenbar nicht in der Lage bist, meine Darstellung nachztuvololziehen.
Und da das so ist, werde ich daran auch keine weitere Zeit mehr verschwenden.
So wichtig ist das nun auch wieder nicht
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Moment mal. Ich hab Dir klar bewiesen, dass der Ausgang genau die gleiche Kapazität "sieht", wie auch der Eingang des Integrators. Es handelt sich um die reale Kapazität multipliziert mit der Verstärkung des Integrators (genaugenommen sogar "Cm = Cr x (1 - V)").
Das steht Deiner Aussage, dass der Ausgang nur die 100pF sehen würde, komplett entgegen! Diese Aussage von Dir kann ich nicht nachvollziehen, weil ich so dumm bin, sondern nur deswegen, weil sie einfach falsch ist. Und darüber sollten wir schon reden, denn sonst hätte ich mir die - extra für Dich angefertigte - Simulation ja auch sparen und mir meinen Teil denken können.
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Ich verstehe, dass Du einen Emitterfolger = Kollektorschaltung als Stromverstärker für eine Kapazität ansetzt.
Ich dagegen spreche von einer spannungsverstärkenden Emitterschaltung, wobei das Basissignal deutlich kleiner ist als das Kollektorsignal und außerdem invertiert ist. Das sind zwei paar völlig verschiedene Schuhe. In einer ruhigen Minute werde ich das auch mal simulieren, lass mir etwas Zeit.
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Um Q1. Ist aber eine Emitterschaltung!
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