02.01.2009, 05:15 PM
@Gucki: Du kannst einen aber auch zur Verzweiflung treiben! 
Also nochmal gaaanz langsam zum Mitmeiseln (ich habs ja schon geschrieben...):
1. Der Absolutbetrag der Verstärkung ist irrelevant. 0,5 ist genauso gut wie 2,0, solange die Kurve eine flache Gerade ist.
2. Zur Prozentrechnung:
a) Blöhbaum-Endstufe ohne Gegenkopplung: max. ca. 960mV, min. ca. 955mV; Prozentrechnung: 955 x 100 / 960 = 99,479 also ca. 0,52% Fehler
b) Bipolar: max. ca. 958mV, min. ca. 920m;
Prozentrechnung: 920 x 100 / 958 = 96,033 also ca. 4% Fehler
c) Mosfet: max. ca. 942mV, min. ca. 894mV;
Prozentrechnung: 894 x 100 / 942 = 94,9 also ca. 5,1% Fehler
Da schreibe ich mir den Finger wund, um Dich darauf aufmerksam zu machen, dass der Verlauf der Übertragungscharakteristik über die Aussteuerung entscheidend ist, und der Kerl liest es nicht.
Nun gut, vielleicht bist Du noch etwas verkatert?

Also nochmal gaaanz langsam zum Mitmeiseln (ich habs ja schon geschrieben...):
1. Der Absolutbetrag der Verstärkung ist irrelevant. 0,5 ist genauso gut wie 2,0, solange die Kurve eine flache Gerade ist.
2. Zur Prozentrechnung:
a) Blöhbaum-Endstufe ohne Gegenkopplung: max. ca. 960mV, min. ca. 955mV; Prozentrechnung: 955 x 100 / 960 = 99,479 also ca. 0,52% Fehler
b) Bipolar: max. ca. 958mV, min. ca. 920m;
Prozentrechnung: 920 x 100 / 958 = 96,033 also ca. 4% Fehler
c) Mosfet: max. ca. 942mV, min. ca. 894mV;
Prozentrechnung: 894 x 100 / 942 = 94,9 also ca. 5,1% Fehler
Da schreibe ich mir den Finger wund, um Dich darauf aufmerksam zu machen, dass der Verlauf der Übertragungscharakteristik über die Aussteuerung entscheidend ist, und der Kerl liest es nicht.
Nun gut, vielleicht bist Du noch etwas verkatert?
Dann wird der "Buckel" in der Mitte noch größer, der Klirr ebenfalls. Abgesehen davon: Die strukturellen Unterschiede im ß-Verlauf sind zwischen npn- und pnp-Transistor immer gegeben, siehe die diversen Datenblätter. Du wirst einfach kein Paar finden, das wirklich so gleich ist, wie 2 gleiche npn- oder n-Kanal Transistoren. Um diese Probleme mit den relativ schlechten p-Typen wenigstens etwas in den Griff zu bekommen, schalten die meisten Hersteller etliche Transistoren parallel, aber das bringt neue Probleme mit sich und hilft nur ein wenig. Die Verwendung gleichartiger Bauelemente löst das Problem vom Prinzip her.
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