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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Soll ich das Dingens mal zusammenpinnen und ne Kennlinie aufnehmen, Volti?
sehr gerne, ich komm da sobald nicht zu
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Ja, das ist der letzte Stand der Technik
IRF530 wird mit seinem vergleichsweise hohen RDSon mehr Verzerrungen liefern, funktionieren sollte es aber trotzdem.
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Ich versteh die Simulation von Dir noch nicht. Wieso hat die Brücke eine positive und eine negative Offsetspannung?
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In dieser Simulation ging es um die Untersuchung zur Symmetrie dieser Schalter bzw. der vom Schalter erzeugten nichtlinearen Verzerrungen.
Ein Brückausgang ist gerade bei -6V, der andere bei +6V.
Die Schalter schalten durch.
Die überlagerte Sinusschwingung dient jetzt zur Linearitätsuntersuchung:
Wieviel Grundwelle, k2,k3 etc entfallen über dem durchgeschalteten Schalter?
Hier sieht man die Unterschiede der mehr oder weniger niederohmigen MOSFETs deutlich.
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ja. Meine Ansicht ist, das MOSFETs rund um Null prinzipiell perfekte On-Widerstände haben. Die verbleibende Nichtlinearität ergibt sich daraus, dass das Spannungsgefälle über dem Kanal letztendlich die wirksame gate-source Spannung moduliert. Bei Wechselspannung / -Strom ergibt dies eine Unsymmetrie: K2, K4 ....
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Die parasitäre Diode kommt erst ins Spiel, wenn genug drain-Strom fließt, um über RDson 0,7V Gefälle aufzubauen (normale Si-Diode)
Es gibt spezielle MOSFETs mit Anti-Parallel-Schottky, aber das ist eher die Ausnahme.
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Jepp, wobei auch gezeigt ist, dass MOSFETs sich für hinreichend kleines Kanalspannungsgefälle wie ein Widerstand verhalten.
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Noch niederohmigere MOSFETs bleiben auch bei hohen Leistungen unter 0.5V Spannungsabfall. Da gibts dann überhaupt keinen Knick.
Mich verwundert das Ergebnis etwas, denn offensichtlich kann man ja mit zwei MOSFETs bessere Analogschalter bauen, als die CD4066 usw. das konnten. Denn die hatten nahe bei 0V ihr Widerstandsmaximum. Bei Deinem Trick ist es glattweg umgekehrt.
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...als mosfet also zb IRF540z ....100V, 21 mOhm
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