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DAMPF: elektronische Lautsprecherumschaltung
#21
Mit 1us timestep habe ich auch noch -200dB noise floor,
bei 20us aber nur noch -120dB
Mit 1us timestep messe ich am Generator 0.000003% Klirrfaktor
Das genügt mir, ich bin von eher bescheidener Wesensart. Confused
...mit der Lizenz zum Löten!
 
#22
Um auf Guckis Bedenken aus dem Umfeld der Analogschalter zurückzukommen-
Solange das gate eines N-Kanal MOS um mehrere Volt positiver ist als die source, stellt der Kanal einen Widerstand Rdson dar.
In beiden Stromrichtungen. Und sehr linear, solange die gate-source-Spannung konstant bleibt. Und solange das Spannungsgefälle in Rückwärtsrichtung unterhalb der Durchlassspannung der intrinsischen Antiparallel-Diode bleibt.

Die von AnalogMUXern bekannten Verzerrungen sind auf aussteuerungsabhängig fallende gate-source-spannungen zurückzuführen.

Man muss also vor allem für eine über der Aussteuerung hinreichende und konstante gate-Spannung sorgen.

Im vorliegenden Fall heißt das z.B. , dass bei tiefen Frequenzen mit einer Zunahme der Verzerrungen zu rechnen ist.


...mit der Lizenz zum Löten!
 
#23
Verwendet man einen sog filterlosen class-D-Verstärker, sieht die Situation etwas anders aus.
Da hier die HF-Umschaltflanken an den NMOS-Schaltern anliegen,
werden, auch ohne Audiosignal, die gate-bootstrap-Kondensatoren voll aufgeladen auf z.B. 9V-1xDiodenSpannung.
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#24
Ich hab hier den von mir behaupteten Fehler ganz einfach überprüft. Alle Bedingungen wie bei Volti.

Ein Transistor arbeitet normal. Einer invers.

Den Lautsprecher hab ich in R1 und R2 geteilt und plotte die Subtraktion beider Ströme. Würden sich der linke und der rechte Zweig absolut gleich verhalten, so würde die Subtraktion zu allen Punkten 0A ergeben. Tut es aber nicht.

[Bild: 1_switch1.png]

Der Fehlstrom beträgt beim Laststrom von 6A rund 8mA. Also -60dB

Das sind jetzt nur die Fehler durch die Kennlinienunterschiede des rechten und des linken Zweiges. Trotz mathematisch exakt gleicher Transistoren.

Die absoluten Fehler, also Abweichung der Übertragungsfunktion von einer Gerade, hab ich noch nicht mal angeschaut.
 
#25
Der absolute Fehler (also die Abweichung der Übertragungsfunktion eines jeden Halbzweiges von einem idealen Spannungsteiler) befindet sich lediglich in gleicher Größenordnung und ist vermutlich starken Vereinfachungen im MOSFET-Modell geschuldet. In jedem Fall hätte ich vielfach größere Fehler erwartet.

[Bild: 1_switch2.png]
 
#26
Ich behaupte ja auch nicht, dass die Kennlinie 100% symmetrisch ist.
In jedem Fall wird der IRF530 mit seinem vergleichsweise hohen Rdson von ein paar hundert mOhm deutlich mehr verzerren als ein niederohmigerer Typ.

Beschränkt man sich auf 20-30V Spannungsfestigkeit, gibt es schon im SO8-Gehäuse recht niederohmige Standardware.

Wenn man den Modellen nicht traut - eine praktische Abschätzung erhält man durch oszillographieren des drain-source Spannungsgefälles unter Last.
...mit der Lizenz zum Löten!
 
#27
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker


Die absoluten Fehler, also Abweichung der Übertragungsfunktion von einer Gerade, hab ich noch nicht mal angeschaut.

Ich habe, in Form einer Klirranalyse, s.o.
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#28
Die Asymmetrie ist vmtl zurückzuführen auf die Rückwirkung des Kanal-Spannungsgefälles auf die gemittelte gate-source-Spannung.
Also möglichst kleiner Rdson für minimale Verzerrungen bei maximalem Stromfluss
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#29
Warum wird kein elektromechanisches Bauelement genommen?
 
#30
Ich schrieb das eingangs, dass Relais wg des hohen Eigenstromverbrauches nicht so spannend sind, und geeignete polarisierte Relais habe nun gerade nicht da. Außerdem find ich es interessant, die Möglichkeiten eines solchen Leistungsanalogschalters mal auszuloten.
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#31
Es bleibt natürlich unbenommen, ein normales Relais an der Betriebsspannung des Leistungverstärkers zu betreiben...
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#32
Auch einfache Schalter gehören zur Gruppe der "elektromechanischen Bauteile" und fressen keinerlei Strom Wink

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Ansonsten hast Du Recht. Ich würde besonders niederohmige Doppel-MOS-Transistoren auf einem Chip nehmen, um die Exemplarstreuungen klein zu halten. Da gibts ja winzige Bauteile im SO8-irgendwas.

Trotzdem werden sich die beiden Zweige realistisch um 1% unterscheiden. Man sollte es also mal bewusst mit leicht unterschiedlichen MOS-Typen simulieren um zu schauen, ob sich das im Klirrfaktor auswirkt.
 
#33
Zitat:Original geschrieben von Rumgucker

Auch einfache Schalter gehören zur Gruppe der "elektromechanischen Bauteile" und fressen keinerlei Strom Wink
Schon klar, ist leider nicht fernbedienbar.
Es sei denn, man nimmt einen Schnurschalter in Verbindung mit einer Handvoll Umlenkrollen - aber das wäre dann ein anderes Projekt. Tongue
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#34
Schrittschaltwerk? misstrau
 
#35
habichnich - krieg ich auch nicht rein.
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#36
Keine Spülmaschine oder Waschmaschine? Der Wissenschaft müssen nun mal Opfer gebracht werden lachend

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Aber ok... das Argument zieht natürlich. Rolleyes

Dann simulier mal bitte zwei leicht unterschiedliche MOSFETs. Vielleicht ist das Klirren ja gar nicht so schlimm, wie ich das vermute.
 
#37
Ja, kommt, aber erst später am Tage.
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#38
So, hab mal kurz Klirrfaktor simuliert -

Vb = 12V
Vboot = 12V
f = 1kHz
Rl = 6R

mit IRLZ44 + IRF530 : 0,016/0,03% @4/20Vpp
mit IRF530 + IRF530 : 0,016/0,03% @4/20Vpp

watt sachste nu?
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#39
Das sieht super gut aus Smile

Hätte ich nicht gedacht, dass sich das nicht mehr auswirkt.

Na dann: weitermachen!
 
#40
Ja, wie schreibt WE immer? "More than you expect"
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