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Ja, den bjt meine ich. Kann man imho komplett rausschmeißen, foldback verlegen über entsprechend hochohmige Widerstände zum pos Eingang des OPV.
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Inv stimmt.
LED + Vorwiderstand zwischen OPV-out=gate und pos Vers. Spannung
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Ja... ok.....
Aber am liebsten will ich den ganzen OPV (inkl. Kleinnetzteil extra dafür) ganz loswerden.
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Zitat:Original geschrieben von Rumgucker
Ja... ok.....
Aber am liebsten will ich den ganzen OPV (inkl. Kleinnetzteil extra dafür) ganz loswerden.
Irgendwoher muß dann aber die gate-Ansteuerspannung herkommen.
Bei den zu erwartenden kleinen Strömen würde bei Tageslicht wohl auch eine Serienschaltung kleiner Solarzellen ausreichen.
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Die Kunst liegt IMHO darin, die untere Schaltung funktional in die Highside zu verlegen.
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Ach so!
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Wie ist es denn, wenn Du den Foldback wie bei Längsreglern machst: Ein kleiner Widerstand zwischen Source und Ausgang, Emitter vom BJT an den Ausgang, Collektor ans Gate. Der Grenzstrom wird über einen Spannungsteiler (von Source zu GND) eingestellt.
https://stromrichter.org/d-amp/content/i...ldback.pdf
Oder bin ich auf dem falschen Dampfer?!
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Das sieht nach klassischer SOA-Begrenzung aus, d.h. der Grenzstrom fällt mit dem Spannungsabfall entlang des Längstransistors. Hat sich bewährt...
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Der 100k-Widerstand von npn-Basis nach GND verschiebt die Abschaltschwelle in Abhängigkeit von der Ausgangsspannung - ist ein:
http://de.images.search.yahoo.com/images...yjuVdud/ye
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Bei konstanter Betriebsspannung gibt es einen Zusammenhang zwischen Ausgangsspannung und Spannungsgefälle über dem Längsregler.
Von daher sollte Dir die Ausgangsspannung nicht schnurz sein.
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Wir hatten hier im Thread hinreichend geklärt, dass das Spannungsgefälle über dem Längsregler (besser Kapazitäts-Multiplikator) abhängig vom Ausgangsstrom ist. Es steht aber in keinerlei Zusammenhang mit der Ausgangsspannung.
Ich will nochmal nachsetzen....
Kahlo und ich hatten hier im Thread sauber abgeklärt, dass der hier entwickelte Kapazitäts-Multiplizierer (mit der Klemmdiode) als Schaltungselement geeignet ist.
Wir stellten weiterhin fest, dass zwischen GND bzw. Source (clean) und Drain eine Brummspannung über dem MOSFET erscheint. Da die untere Spitze der Brummspannung geklemmt wird, sehen wir eine der Stromentnahme direkt proportionale Brummspannung zwischen Drain und Source.
Es wäre IMHO ein gänzlich neuer Ansatz, wenn wir diese Wechselspannung für eine elektronische Überstromsicherung ausnutzen würden.. So könnten wir uns den Strommesswiderstand vollständig einsparen.
Aber natürlich. Es fällt doch kaum ne Spannung dran ab. 11 Watt Verluste.
Und wenn es ne Stromüberschreitung gibt, dann wird der MOSFET komplett abgeschnürt. Wie mit einer Schmelzsicherung.
Der schaltet also 700V bei 1A in 1ms ab. Zulässig wären über 2A.