15.04.2012, 08:53 PM
Der hochohmige Widerstand vor dem Gate bildet in Verbindung mit den Gate-Source + Zenderdiodenkapazitäten einen ekelhaften Tiefpass, der Regelschwingungen ebenso begünstigt, wie alle TP im GK-Zweig das nunmal tun.
Wahrscheinlich hätte eine kleine Kapazität zwischen Ausgang und Regeltransistor-Steuerelektrode schon ausgereicht, um dem entgegenzuwirken.
Alternativ kann schon die Entfernung der Z-Dioden-Kapazität oder die Wahl eines anderen Längstransistors das Regelverhalten verbessern und Schwingungen mindern.
Wahrscheinlich hätte eine kleine Kapazität zwischen Ausgang und Regeltransistor-Steuerelektrode schon ausgereicht, um dem entgegenzuwirken.
Alternativ kann schon die Entfernung der Z-Dioden-Kapazität oder die Wahl eines anderen Längstransistors das Regelverhalten verbessern und Schwingungen mindern.